大硅片方面，目前中環(huán)股份主導的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術、經(jīng)濟性上的優(yōu)勢并不明顯，市場占有率明顯低于182大硅片。不過，相關人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術之爭終有了結果，210硅片或有拓展機會。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開關特性等均有關系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會使壽命值大大降低。

熱導率較大?；瘜W性質(zhì)穩(wěn)定，又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實現(xiàn)PN結表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,制造MOS場效應晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，并能在200高溫下運行等優(yōu)點。

硅是元素半導體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導體和多晶硅中應分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會使PN結性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

目前，世界上絕大部分廠家采用傳統(tǒng)的改良西門子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術路線，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術突破以實現(xiàn)提質(zhì)增效，其的、具有自主知識產(chǎn)權的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項指標上，均大幅改良西門子法。

1956年研究成功氫還原三氯氫硅法。對硅中微量雜質(zhì)又經(jīng)過一段時間的探索后，氫還原三氯氫硅法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進行工業(yè)生產(chǎn)已具規(guī)模。硅整流器與硅閘流管的問世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導體材料的。60年代硅外延生長單晶技術和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年代初全世界多晶硅產(chǎn)量已達2500噸。硅還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶硅制造太陽電池的技術已經(jīng)成熟；無定形非晶硅膜的研究進展迅速；非晶硅太陽電池開始進入市場。