現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

DRAM特點如下： ●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 ●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補充電荷的操作。 ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 ●優(yōu)點： 集成度遠SRAM、功耗低，價格也低。 [8] ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 盡管如此，由于DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。

沒有任何兩塊被生產出來的網卡擁有同樣的地址。這是因為電氣電子工程師協(xié)會（IEEE）負責為網絡接口控制器（網卡）銷售商分配的MAC地址。

光纖網卡，指的是光纖以太網適配器，簡稱光纖網卡，學名Fiber Ethernet Adapter.傳輸的是以太網通信協(xié)議，一般通過光纖線纜與光纖以太網交換機連接。按傳輸速率可以分為100Mbps、1Gbps、10Gbps，按主板插口類型可分為PCI、PCI-X、PCI-E(x1/x4/x8/x16)等，按接口類型分為LC、SC、FC、ST等。

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。