聯(lián)系人鮑紅美固化時間24小時

性能參考
外觀 固化前:青灰色膏狀物 固化后:青灰色粉末堅硬固體 顏色可根據(jù)客戶要求更改。

密度 20℃ 1.65~1.75g/cm

不揮發(fā)份≥60% 1.4細度:≤9μm

流淌性≤6.4mm 1.6 附著力 好;

耐介質(zhì)性 重量變化 2號航空煤油、75號航空汽油、20號航空滑油 ≤±5%

耐壓力 23℃ ≥8.8 Mpa;150℃ ≥6.86 Mpa;200℃ ≥6.86 Mpa

腐蝕性:對不銹鋼、鋼、鎳基高溫合金均不腐蝕

固化條件:23±2℃×48h 或100℃×30min 。

四、使用說明? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?產(chǎn)品工藝性能較好，可直接施工，施工方法可采用毛筆涂抹、滾涂、點膠機自動擠出或絲網(wǎng)印刷。

?對所有接觸表面用溶劑清潔后再涂抹硅脂，填滿間隙的前提下越薄越好，多涂并無益處，反而會影響熱傳導(dǎo)

效率。

?用干凈的工具如剃刀片，信用卡邊或干凈的小刀挑起少許導(dǎo)熱硅脂轉(zhuǎn)移到施工部位，用刮板刮平，再用無絨布將施工部

位周邊多余的導(dǎo)熱硅脂擦干凈。

五、包裝? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?塑料筒裝，凈容量為300ML、500ML、1L、5L；

?金屬軟管包裝, 凈容量為50ML、100ML?300ML 2600ML 10KG。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。
以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)線水平。