很長一段時(shí)間，鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其大的優(yōu)點(diǎn)就是可以在短時(shí)間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

晶圓切割時(shí)，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。

頂面碎片，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個(gè)合格率問題，當(dāng)切片接近芯片的有源區(qū)域時(shí)，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進(jìn)給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面，當(dāng)大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴(kuò)散開并匯合到一起的時(shí)候。當(dāng)這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時(shí)候，BSC變成一個(gè)合格率問題。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不計(jì)。另一方面，當(dāng)尺寸大于25um時(shí)，可以看作是潛在的受損?？墒?，50um的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。

藍(lán)膜由于受其溫度影響乃粘性度會發(fā)生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進(jìn)行后封裝工藝，而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時(shí)，可以考慮使用藍(lán)膜。

晶圓倒片機(jī)是用來調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設(shè)備，它的任務(wù)是將產(chǎn)線上的晶圓通過制程需要進(jìn)行分批、合并、翻轉(zhuǎn)后進(jìn)行下一道程序，這就要求晶圓倒片機(jī)擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。

在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過幫助去掉碎片而延長刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。