在 2.45 GHz 頻率下產(chǎn)生的微波具有產(chǎn)生等離子體的特優(yōu)勢。在這個頻率下，微波可以有效地與氣體的電子共振，從而提高電離效率。此外，2.45 GHz 頻率允許使用相對較小的腔體尺寸，這對于緊湊型等離子體源的設(shè)計非常有用。 微波等離子體源具有多種應(yīng)用，包括：

材料處理：微波等離子體源可用于表面處理、薄膜沉積和蝕刻工藝。它們可以幫助在各種材料上沉積薄膜，或改變材料的表面特性。

等離子體源濺射是一種物理現(xiàn)象，指的是在等離子體能量密集區(qū)域中的離子和電子受到能量激發(fā)后從其表面飛出，造成濺射現(xiàn)象。這種現(xiàn)象常常在等離子體物理研究、薄膜沉積和半導(dǎo)體制備過程中出現(xiàn)。

等離子體源濺射通常是通過將能量注入等離子體中，激發(fā)其內(nèi)部原子或分子，使其進(jìn)入激發(fā)態(tài)。當(dāng)這些原子或分子回到基態(tài)時，它們會釋放出能量并將部分能量轉(zhuǎn)移給周圍的粒子，導(dǎo)致粒子從等離子體表面濺射出來。

等離子體源濺射在許多應(yīng)用中都具有重要作用，例如在薄膜沉積過程中，通過控制等離子體源濺射可以調(diào)節(jié)薄膜的成分和結(jié)構(gòu)，從而影響薄膜的性能。此外，等離子體源濺射也被應(yīng)用于半導(dǎo)體制備過程中，用來清潔和改性半導(dǎo)體表面，以提高器件的性能和穩(wěn)定性。