廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試適用于集成電路芯片、電子元件、分立器件、機(jī)電類器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、AD/DA、總線接?類、 通?數(shù)字電路、模擬開關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類等。

對(duì)于DPA中暴露的問題，只要元器件承制廠所與DPA實(shí)驗(yàn)室緊密結(jié)合，進(jìn)行分析與跟蹤，準(zhǔn)確找出導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生的原因，采取有針對(duì)性的整改措施，則大多數(shù)缺陷模式是可以得到控制或消除的。
破壞性物理分析（DPA）技術(shù)不但適用于J用電子元器件，而且也同樣適用于民用電子元器件，如采購檢驗(yàn)、進(jìn)貨驗(yàn)貨及生產(chǎn)過程中的質(zhì)量監(jiān)測(cè)等均可應(yīng)用DPA技術(shù)。
廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試能夠?yàn)镴品及民品企業(yè)提供一站式服務(wù)，報(bào)告可靠。

廣電計(jì)量DPA樣品測(cè)要求及過程
1、樣本大?。簩?duì)于一般元器件，樣本應(yīng)為生產(chǎn)批總數(shù)的2％，但不少于5只也不多于10只；對(duì)于價(jià)格昂貴或批量很少的元器件，樣本可適當(dāng)減少，但經(jīng)有關(guān)機(jī)構(gòu)（鑒定、采購或使用機(jī)構(gòu)）批準(zhǔn)。
2、抽樣方式：在生產(chǎn)批中隨機(jī)抽取。（若有關(guān)各方取得一致意見時(shí)，同一生產(chǎn)批中電特性不合格但為喪失功能的元器件，可作為DPA樣品）
DPA樣品的背景材料：生產(chǎn)單位、生產(chǎn)批號(hào)（或生產(chǎn)日期）、用戶、產(chǎn)品型號(hào)、封裝形式…
3、DPA方案要求：樣品背景材料、基本結(jié)構(gòu)信息、DPA檢驗(yàn)項(xiàng)目、方法和程序、缺陷判據(jù)、數(shù)據(jù)記錄和環(huán)境要求。
4、檢驗(yàn)項(xiàng)目和方法：應(yīng)符合合同、相應(yīng)產(chǎn)品規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)的要求，一般按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，可根據(jù)系統(tǒng)需要適當(dāng)剪裁。

廣電計(jì)量集成電路失效分析實(shí)驗(yàn)室，配備了完善的DPA分析測(cè)試設(shè)備（如3D解析顯微鏡、X射線透射儀、超聲掃描顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、TEM透射電子顯微鏡、水汽分析儀、各類檢漏儀等），具備非破壞性和破壞性測(cè)試的DPA分析能力。

DPA分析是對(duì)潛在缺陷確認(rèn)和潛在危害性分析的過程，一般是在在元器件經(jīng)過檢驗(yàn)、篩選和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)后對(duì)元器件內(nèi)部存在的缺陷進(jìn)行分析，這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致樣品的失效或不穩(wěn)定。與其他分析技術(shù)不同的是，DPA分析是對(duì)元器件進(jìn)行的事前預(yù)計(jì)（而失效分析FA是事后檢查）。在元器件生產(chǎn)過程中以及生產(chǎn)后到上機(jī)前，廣電計(jì)量DPA分析技術(shù)都可以被廣泛地使用，以檢驗(yàn)元器件是否存在潛在的材料、工藝等方面的缺陷。

廣電計(jì)量DPA測(cè)試以預(yù)防失效為目的，防止有明顯或潛在缺陷的元器件上機(jī)使用；確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過程中存在的偏差和工藝缺陷；評(píng)價(jià)和驗(yàn)證供貨方元器件的質(zhì)量；提出批次處理意見和改進(jìn)措施。
DPA分析技術(shù)可以快速發(fā)現(xiàn)潛在的材料、工藝等方面的缺陷,這些缺陷終導(dǎo)致元器件失效的時(shí)間是不確定的,多數(shù)為早期失效，但所引發(fā)的后果是嚴(yán)重的。