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AS9337燒結(jié)銀漿射頻器件燒結(jié)銀

更新時間:2025-10-07 [舉報]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體強勢崛起,隨著電動汽車市場的增量放大,消費者對汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高,電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復(fù)雜,封裝成了提升可靠性和性能的關(guān)鍵。封裝是承載器件的載體,也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。

與傳統(tǒng)的焊料合金相比,燒結(jié)銀AS9378具有更高的導(dǎo)熱性(200至300W/mK),有可能將從結(jié)到外殼的熱阻降低40%以上,同時顯著提高熔點并降低電阻率。此外根據(jù)下表數(shù)據(jù)可觀察到銀燒結(jié)的高使用溫度接近900℃遠超傳統(tǒng)焊料。

大功率LED封裝?:善仁燒結(jié)銀漿(AS9300系列)中的燒結(jié)銀漿(AS9331、AS9332)用于高功率LED的封裝,提高LED的發(fā)光效率和壽命。

標簽:碳化硅單管燒結(jié)銀碳化硅貼片燒結(jié)銀
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