美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY參數(shù)分析儀4200-SCS研究應(yīng)用領(lǐng)域：

半導(dǎo)體材料和器件的研發(fā)—傳統(tǒng)的半導(dǎo)體和微電子
器件和工藝的參數(shù)監(jiān)控—半導(dǎo)體工藝線，生產(chǎn)
器件的建模（Modeling)—半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，集成電路的設(shè)計(jì)
可靠性和壽命測(cè)試—半導(dǎo)體器件可靠性研究
高功率MOSFET，BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析
納米器件研究；
光電子器件的研究（LED，OLED等）；
非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器測(cè)試—Flash閃存，相變存儲(chǔ)器（PRAM），鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM)，阻變存儲(chǔ)器（RRAM)等；

深圳市中瑞儀科電子有限公司

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有機(jī)半導(dǎo)體特性分析
太陽(yáng)能電池及光伏電池特性分析
確定樣品的電阻率和Hall載流子濃度
氧化層厚度、柵面積、串聯(lián)電阻、平帶電容、電壓、開啟電壓、體摻雜、有效氧化層電荷密度、可動(dòng)電荷、金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)、德拜長(zhǎng)度、體電勢(shì)等。
標(biāo)準(zhǔn)C-V掃描：普通MOSFET，二極管和電容器；
MOScap：測(cè)量MOS電容器上的C-V，提取參數(shù)包括氧化層電容，氧化層厚度，摻雜濃度，耗盡深度，德拜長(zhǎng)度，平帶電容，平帶電壓，體電勢(shì)，閾值電壓，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，有效氧化層電荷；
MOSFET：對(duì)一個(gè)MOSFET器件進(jìn)行一個(gè)C-V掃描。提取參數(shù)包括：氧化層厚度，氧化層電容，平帶電容，平帶電壓，閾值電壓，摻雜濃度與耗盡深度的函數(shù)關(guān)系；
壽命：確定產(chǎn)生速度并進(jìn)行壽命測(cè)試（Zerbst圖）；
可動(dòng)離子：使用BTS方法確定并提取平帶電壓參數(shù)確定可動(dòng)電荷。包括對(duì)Hot Chuck熱吸盤的控制。在室溫下測(cè)試樣品，然后加熱后測(cè)試，然后再恢復(fù)至室溫下以確定平帶漂移電壓，從而確定可動(dòng)電荷；
電容：在金屬-絕緣-金屬（MIM）電容器上進(jìn)行C-V掃描和C-f掃描，并計(jì)算出標(biāo)準(zhǔn)偏差；
PN結(jié)：測(cè)量P-N結(jié)或肖特及二極管的電容與其片置電壓的函數(shù)關(guān)系；
光伏電池：測(cè)量一個(gè)發(fā)光太陽(yáng)電池的正向和反向DC特性，提取參數(shù)，cui大功率，cui大電流，cui大電壓，短路電流，開路電壓，效率。同時(shí)執(zhí)行C-V和C-f掃描特性；