燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題
總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命，穩(wěn)定性和可靠性——在降低失誤率的同時(shí)簡化控制和保護(hù)電路到后的降低成本。

而在電動(dòng)車輛中，電力電子器件節(jié)省空間、重量輕、并且即使在惡劣的條件下也要工作可靠。為了滿足這些要求，傳統(tǒng)基于模塊的封裝方式已經(jīng)不能適應(yīng)下游市場發(fā)展的需要，

個(gè)難題：燒結(jié)銀膏技術(shù)
在芯片與基板的連接中，傳統(tǒng)有基板焊接功率模塊中，焊接連接往往是模塊上的機(jī)械薄弱點(diǎn)。

同時(shí)在此基礎(chǔ)上開發(fā)出雙面銀燒結(jié)技術(shù)，將銀帶燒結(jié)在芯片正面代替了鋁線，或取消底板將基板直接燒結(jié)在散熱器上，大大簡化了模塊封裝的結(jié)構(gòu)。

連接溫度和輔助壓力均有明顯下降，擴(kuò)大了工藝的使用范圍。在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，

善仁新材新推出的有壓燒結(jié)銀AS9385的剪切強(qiáng)度達(dá)到93.277MPa，剪切強(qiáng)度大大超過目前市面上主流的有壓燒結(jié)銀的剪切強(qiáng)度，大家可能對(duì)93.277MPa沒有概念，作為對(duì)比，目前市面上的德國某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為68MPa，美國某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為67MPa。