在不同電流密度下的分階段電沉積實驗展示了動態(tài)的硅通孔
(TSV) 填充過程。通過控制外加電流密度，可以獲得對應于
TSV填充結(jié)果的不同形貌。具體來說，低電流密度 (4 mA/
cm 2 ) 會導致接縫缺陷填充，中等電流密度 (7 mA/cm 2 ) 會導
致?缺陷填充，??電流密度 (10 mA/cm 2 )) 導致空洞缺陷填
充。填充系數(shù)分析表明，電流密度對TSV填充模型的影響是
由添加劑和銅離?的消耗和擴散的耦合效應觸發(fā)的。此外，
鍍層的形態(tài)演變表明局部沉積速率受鍍層?何特征的影響。
硅通孔 (TSV) 是?種很有前途的三維 (3D) 封裝技術(shù)，具有
?性能、減小封裝體積、低功耗和多功能等優(yōu)點。在 TSV ?
藝中，通常使用銅電化學沉積 (ECD) 進?的通孔填充步驟占
總成本的近 40% 。作為 TSV 的核?和關(guān)鍵技術(shù)，以小化?
藝時間和成本的?缺陷填充備受關(guān)注。

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目前對TSV填充的研究主要集中在條件優(yōu)化和填充機理上。
為了實現(xiàn)?缺陷的 TSV 填充，電鍍?nèi)芤褐械奶囟ㄌ砑觿?，?br /> 氯離?、抑制劑和促進劑進?了深?研究 。與特定添加劑和
通孔結(jié)構(gòu)相對應的佳電沉積參數(shù)已被?泛研究。. 在這些參
數(shù)中，電流密度對填充形態(tài)的影響尤為顯著。盡管特定的添
加劑可以有效地實現(xiàn)?缺陷填充，但所需的步驟很復雜，沉
積速率低，相關(guān)成本?。為了克服添加劑輔助填充?法的缺
陷，?泛研究了脈沖電流、脈沖反向電流、周期性脈沖反向
電流和多步電流等電鍍電流波形. 同時，已經(jīng)引用了?種機制
來解釋?缺陷填充過程，例如傳統(tǒng)的流平模型、對流相關(guān)吸
附模型、時間相關(guān)傳輸-吸附模型和曲率增強加速器覆蓋模
型。動態(tài) TSV 填充對于 TSV 填充研究的各個?面都很重要。
它是優(yōu)化條件的基礎(chǔ)，反映了填充模型的機制。然?，現(xiàn)有
的研究只關(guān)注在特定時刻獲得的填充結(jié)果。很少系統(tǒng)地研究
連續(xù)和全面的動態(tài) TSV 填充過程。在這項研究中，我們通過
在不同電流密度下的分階段電沉積實驗證明了 TSV 動態(tài)填充
過程。獲得了實現(xiàn)?缺陷填充的佳電流密度。討論了電流
密度對填充模型的影響。此外，鍍層的形態(tài)演變表明，局部
沉積速率受鍍層?何特征的影響。

北京汐源科技有限公司
隨著電子產(chǎn)品 半導體產(chǎn)品不斷的更新?lián)Q代 在國家對高科技產(chǎn)業(yè)的大力支持下 汐源科技同時也為電子 半導體行業(yè)提供良好的保障。
汐源科技電子材料：
灌封膠:洛德 漢高 道康寧 陶氏 杜邦等。廣泛應用于電子電源 厚膜電路 汽車電子 半導體封裝等行業(yè)。
導電膠： 3M 北京ablestik 北京Emerson&Cuming等.用于半導體 LED等行業(yè)
實驗設(shè)備：提供X-RAY FIB 顯微鏡等。FBI 武藏點膠機 諾信點膠機 灌封機 實驗室儀器儀表 TSV電鍍設(shè)備 鍵合機 平行封焊機。
我們的電子化學材料含括：粘接膠 灌封材料 導電 導熱界面材料 裸芯粘接材料 COB包封材料 CSP/Flip chip/BGA底部填充膠 貼片膠 電子涂料 UV固化材料。應用范圍涉及電子元器件 電子組件 電路板組裝 顯示及照明工業(yè) 通訊 汽車電子 智能卡/射頻識別 航天航空 半導體封裝 晶圓劃片保護液 晶圓臨時鍵合減薄 鍵合金絲等領(lǐng)域。

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厚膜導電膠84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
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北京汐源科技有限公司 漢高北京總代理 Ablestik 貝格斯道康寧 3M 洛德經(jīng)銷商
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