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從除塵區(qū)域經(jīng)上盤12 個(gè)圓孔進(jìn)入排氣區(qū)域(排氣筒) 的棄塵氣流終由排氣口排出除塵器。上面主要論述了這種混合式除塵器的除塵機(jī)理和過程。值得提出的是，出于某些因素的考慮例如體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)性等等，該除塵器略去了排塵區(qū)域。所以，應(yīng)該經(jīng)常性拆卸進(jìn)行清灰工作。下面給出這種除塵器的主要技術(shù)參數(shù)：圓柱容器高度H = 900mm; 內(nèi)徑= á 270mm; 進(jìn)氣口軸線偏離圓柱容器線e= 85mm; 進(jìn)氣口與排氣口通徑均為á 89mm。內(nèi)、外層金屬網(wǎng)均采用50 目的不銹鋼絲網(wǎng)。順便提一下，在很多情況下，用戶拆去全部金屬桿和金屬網(wǎng)，僅以離心力作為主要除塵機(jī)理便滿足了單晶爐真空系統(tǒng)的除塵要求。

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大直徑硅單晶的制備與數(shù)值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于集成電路備件和硅片制造領(lǐng)域,是現(xiàn)今信息社會(huì)的基石。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的報(bào)告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開發(fā)研究。當(dāng)前主流集成電路設(shè)備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過程,無疑具有重要的理論意義和現(xiàn)實(shí)需求。同時(shí),開發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場(chǎng)對(duì)改善晶體質(zhì)量的作用,對(duì)于我國未來制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，排氣筒與排氣口相通。上盤的幾個(gè)圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤12 個(gè)圓孔排出去之前，實(shí)際的氣流運(yùn)動(dòng)是很復(fù)雜的。除切向和軸向運(yùn)動(dòng)外還有徑向運(yùn)動(dòng)。這樣含塵氣流會(huì)反復(fù)經(jīng)過金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯(cuò)列，很明顯能夠增加氣流穿過金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細(xì)論過除塵機(jī)理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴(kuò)散在這時(shí)將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤在內(nèi))。