大硅片方面，目前中環(huán)股份主導的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術、經(jīng)濟性上的優(yōu)勢并不明顯，市場占有率明顯低于182大硅片。不過，相關人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術之爭終有了結果，210硅片或有拓展機會。

硅料回收是指對廢棄的硅料進行再利用或處理的過程。硅料是一種重要的材料，廣泛應用于電子、光電子、太陽能等領域。由于硅料的高附加值和廣泛使用，回收硅料可以減少資源浪費，降低環(huán)境污染。

電阻率與均勻度 　拉制單晶時摻入一定雜質以控制單晶的電阻率。由于雜質分布不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區(qū)電阻率均勻度。它直接影響器件參數(shù)的一致性和成品率。

硅單晶主要技術參數(shù)有導電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導電類型 　導電類型由摻入的施主或受主雜質決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷

熱導率較大?；瘜W性質穩(wěn)定，又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實現(xiàn)PN結表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,制造MOS場效應晶體管和集成電路。上述性質使PN結具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，并能在200高溫下運行等優(yōu)點。

硅是元素半導體。電活性雜質磷和硼在合格半導體和多晶硅中應分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質，以獲得所要求的導電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質，它們的存在會使PN結性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。