由于現(xiàn)有封裝技術的限制，特別是芯片與基板的互連技術，例如銀漿、聚合物材料，軟釬焊等互連技術由于焊料合金的低熔點、環(huán)氧樹脂的低溫分解等原因，使其不能在高溫環(huán)境下可靠工作，導致限制電力電子系統(tǒng)性能和可靠性的瓶頸從半導體芯片轉(zhuǎn)移到了封裝技術上來。

近年來以善仁新材開發(fā)的納米燒結(jié)銀技術為代表的低溫連接技術是目前功率器件朝耐高溫、高可靠性應用發(fā)展的主要趨勢，其基本原理是利用納米尺度下金屬顆粒的高表面能、低熔點特性來實現(xiàn)芯片與基板的低溫低壓燒結(jié)互連。

燒結(jié)納米銀導熱率及孔隙關系
孔隙對于熱傳導性能的影響會很大，善仁新材發(fā)現(xiàn)：納米燒結(jié)銀熱流密度分布不均勻，有孔隙的地方會使得周圍的熱流密度變低，并且隨著孔隙率的增加，等效熱導率依次減少。空隙率越低，導熱系數(shù)越高，空隙率越高，導熱系數(shù)越低。