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即燒結(jié)銀膜三代半燒結(jié)型銀膜

更新時(shí)間:2025-10-05 [舉報(bào)]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

基于燒結(jié)銀材料的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)目前已經(jīng)逐漸開(kāi)始應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體功率器件中,常規(guī)的方法是將燒結(jié)銀焊膏涂覆在基板上,置于鼓風(fēng)干燥箱中進(jìn)行加熱,使得有機(jī)溶劑大量揮發(fā),

2表面平整度非常好:公差為正負(fù)3%以內(nèi);
3 導(dǎo)電性能非常:體積電阻低至2.5*10-6歐姆.厘米;

4 良好的導(dǎo)熱性能:導(dǎo)熱率可達(dá)287瓦;
5 提高生產(chǎn)效率:省略了預(yù)烘和預(yù)壓的過(guò)程,可以直接進(jìn)行本壓燒結(jié)銀膜;

標(biāo)簽:即燒結(jié)銀膜高導(dǎo)熱燒結(jié)銀膜
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