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除塵器內(nèi)的空間由圓柱容器經(jīng)上、下蓋密封形成，整個空間分成兩大區(qū)域：除塵區(qū)域和排氣區(qū)域。含塵氣流由切線進氣口進入除塵區(qū)域，沿外壁由下而上螺旋形旋轉(zhuǎn)運動。氣流作旋轉(zhuǎn)運動時，塵粒在慣性離心力的推動下，要向圓柱容器內(nèi)壁移動。到達內(nèi)壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。這種情況，離心力是除塵器的主要作用力，塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內(nèi)壁。還有，圓柱容器內(nèi)設(shè)置內(nèi)外兩層金屬網(wǎng)，內(nèi)層金屬網(wǎng)纏繞于內(nèi)側(cè)的6 根金屬桿上。外層金屬網(wǎng)纏繞于外側(cè)的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤和盤上。它們固聯(lián)于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設(shè)置的排氣筒是排氣區(qū)域。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐型號定義\單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的\單晶爐主要需要控制的方面一、晶體直徑（尺寸）二、溫度（功率控制）三、原料（硅料）四、泄漏率，質(zhì)量等\本文由rxl提供，歡迎大家完善

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大直徑硅單晶的制備與數(shù)值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于集成電路備件和硅片制造領(lǐng)域,是現(xiàn)今信息社會的基石。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的報告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開發(fā)研究。當前主流集成電路設(shè)備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過程,無疑具有重要的理論意義和現(xiàn)實需求。同時,開發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場對改善晶體質(zhì)量的作用,對于我國未來制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。