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集四海鉭鈮礦化驗(yàn)，我司服務(wù)宗旨：科學(xué).公正.準(zhǔn)確.。我司將以合理的價(jià)格.的服務(wù),的檢測(cè)技術(shù)為廣大顧客服務(wù). 歡迎您來(lái)電咨詢.洽談!
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(zhǎng)的晶面會(huì)有改變。
氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮?dú)饣虬睔庠?100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮?dú)鉃樵现苽涞g，反應(yīng)式如下：2Ta+N2=2TaN。
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
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