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　　片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于20萬千瓦時(shí)/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于20萬千瓦時(shí)/百萬片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于15萬千瓦時(shí)/百萬片5.晶硅電池項(xiàng)目平均綜合電耗小于8萬千瓦時(shí)/MWp6.晶硅組件項(xiàng)目平均綜合電耗小于4萬千瓦時(shí)/MWp，薄膜組件項(xiàng)目平均電耗小于50萬千瓦時(shí)/MWp（三）光伏制造項(xiàng)目生產(chǎn)水耗應(yīng)以下要求：1.多晶硅項(xiàng)目水循環(huán)利用率不低于95%；2.硅片項(xiàng)目水耗低于1300噸/百萬片；3.P型晶硅電池項(xiàng)目水耗低于750噸/MWp，N型晶硅電池項(xiàng)目水耗低于9。

 

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