純凈水設備一般在產水運行半年到一年之后，產水量會下降，水質也會下降，其實這個用戶可以自己通過分析解決，很多客戶不懂，有時候會被商家忽悠，跟客戶說設備損壞或者膜元件壞了，從新購買新的膜元件！
純凈水設備在使用過程中水質下降的原因分析：
1、預處理
有的客戶原水水質不好，有雜質或者是泥沙，前面沒有加袋式過濾器，經過一段時間的使用，雜質進入預處理，堵塞了，這樣就會造成產水量降低，水質變差。
2、濾芯屬于設備產水的耗材，這個需要每一個星期到2個星期更換一次，濾芯都是有一個使用期限的，就算設備停用了一段時間，在用也要更換濾芯，濾芯很容易滋生，造成水質變差。
3、反滲透膜RO反滲透膜是中重要的組件，也是貴的，一半RO反滲透膜的使用壽命是2-3年，如果常年不停產水，使用的時間就會更短，RO反滲透膜要在1-2年進行一次清洗，不然也會造成出水量降低。
4、操作失誤
在操作規(guī)程方面，凈水設備凈水是按照一定的要求來凈水的。它是針對水中所含有的某些大分子物質或是離子，不同的行業(yè)不同的使用條件下需求可能有所不同。這也是影響效果的一項關鍵因素。

一般來說，電位器的阻值選用5～10kΩ比較合適。對于ADJ輸出引腳，有輸入邊調節(jié)和輸出邊調節(jié)兩種方式。輸出邊調節(jié)的方式與TRIM引腳的調節(jié)方式一樣。輸入邊調節(jié)只能增加輸出電壓，此時可以把電位器的一端連接到中心，另一端接地。一般模塊電源產品都內置了濾波器，可以滿足一般電源應用的要求。如果需要更高要求的電源系統(tǒng)，就應該增加輸入濾波網絡?？梢圆捎肔C或π型網絡，但要注意盡量選擇較小的電感和較大的電容。為了保護模塊電源，避免由于輸入電源瞬態(tài)高壓而導致?lián)p壞，我們建議用戶在輸入端加入瞬態(tài)吸收二極管，并配合保險絲使用，以確保模塊工作在安全的電壓范圍內。為了降低共模噪聲，可以增加Y電容(Cy)，一般選擇幾納法的高頻電容。在電路中，R代表保險絲，D1代表保護二極管，D2代表瞬態(tài)吸收二極管(P6KE系列)。遙控開關電路是通過REM端進行操作的，REM可以以不同的方式連接以實現(xiàn)不同的控制功能。一般來說，有兩種控制方式：1)將REM連接到－VIN(參考地)，實現(xiàn)遙控關斷，要求VREF<0.4V。若將REM懸空或連接到+VIN，模塊將處于工作狀態(tài)，要求VREM>1V。2)將REM連接到VIN，實現(xiàn)遙控關斷，要求VREM<0.4V。若將REM連接到+VIN，模塊將處于工作狀態(tài)，要求VREM>1V。若將REM懸空，實現(xiàn)遙控關斷，即所謂的“懸空關斷”(－R)。如果需要隔離控制信號和輸入端，則可以使用光電耦合器進行傳輸。如果您想了解更多關于模塊電源的信息和價格，請咨詢我們。


河南江宇環(huán)保科技有限公司， 河南水處理設備，河南純凈水設備，河南污水處理設備，河南反滲透設備，河南軟化水設備，鄭州純凈水設備，鄭州水處理設備，無菌水箱，不銹鋼攪拌罐，EDI超純水設備，無菌水箱，鄭州反滲透設備廠家以方案設計、產品定制、安裝、售后為一體的廠家；可直接咨詢技術服務

純凈水設備、反滲透設備的預處理系統(tǒng)
作為純凈水生產的依托是非常重要的。所以要生產純凈水一定是要選擇原水水質比較好的地方。如山泉、深井等。在這里牽扯到一個非常重要的指數(shù)就是“電導率”，一般而言電導率越低，水越純凈。水處理工藝都是采用的反滲透系統(tǒng)，經過處理后的水一般能達到90%——99%的脫鹽率；下面我介紹一下這個系統(tǒng)的組成部件。
1、原水泵
原水泵是為原水預處理系統(tǒng)提供原水壓力的作用。如果原水有壓力就完全可以不用這個設備。一般要求原水壓力>=0.3MPa
2、原水箱
原水箱的作用更簡單，是儲存原水用的。這是怕原水萬一供不上作一個中轉（通常添加浮球開關是整個系統(tǒng)自動化程度更高）。
3、石英砂過濾器
采用石英砂濾料以除去原水中較大顆粒的懸浮物、泥沙、雜質等，降低水的混濁度。而且還可以使水中的有機物質、、病毒等隨著濁度的降低而被大量去除，并為濾后消毒創(chuàng)造了良好條件。
4、活性炭過濾器
利用活性碳的吸附能力有效地吸附原水中的有機物、游離性余氯、膠體、微粒、微生物、某些金屬離子及脫色等。
5、軟化系統(tǒng)（加藥系統(tǒng)）
利用離子樹脂的交換性能，除去原水中的鈣鎂離子，以達到防止后繼設備結生水垢的影響，但是操作起來費工，費料。改為加藥系統(tǒng)直接向里添加阻垢劑。
主要解決以下問題：
1、防止有機物污染；
2、防止膠體物及懸浮固體微粒堵塞；
3、防止氧化性物質對膜的氧化破壞；這樣可反滲透裝置穩(wěn)定運行以及正常的使用壽命。
4、防止反滲透膜面結垢CaCO3、CaSO4、SrSO4、CaF2、SiO2、鐵、鋁氧化物等在膜面沉積