發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結附近數微米內分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，產生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。發(fā)光二極管的反向擊穿電壓大于5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時串聯限流電阻以控制通過二極管的電流。

節(jié)能是LED燈的特點 在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個大的特點?，F在的人們都崇尚節(jié)能環(huán)保，也正是因為節(jié)能的這個特點，使得LED燈的應用范圍十分廣泛，使得LED燈十分的受歡迎。

發(fā)光效率就是光通量與電功率之比，單位一般為lm/W。發(fā)光效率代表了光源的節(jié)能特性，這是衡量現代光源性能的一個重要指標。

紅外發(fā)光二極管也稱紅外線發(fā)射二極管，它是可以將電能直接轉換成紅外光（不可見光）并能輻射出去的發(fā)光器件，主要應用于各種光控及遙控發(fā)射電路中。 紅外發(fā)光二極管的結構、原理與普通發(fā)光二極管相近，只是使用的半導體材料不同。紅外發(fā)光二極管通常使用砷化鎵（GaAs）、砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，采用全透明或淺藍色、黑色的樹脂封裝。 常用的紅外發(fā)光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。

1987年，柯達公司鄧青云等成功制備了低電壓、高亮度的有機發(fā)光二極管（OLED），次向世界展示了OLED在商業(yè)上的應用前景‘“。1995年，Kido在science雜志上發(fā)表了白光有機發(fā)光二極管（wOLED）的文章， 雖然效率不高，但揭開了OLED照明研究的序幕。經過幾十年的發(fā)展，OLED的效率和穩(wěn)定性早已滿足小尺寸顯示器的要求，受到眾多儀器儀表、手機和移動終端公司的青睞，大尺寸技術也日漸完善。 [5]

晶片的構成：由金墊，P極，N極，PN結，背金層構成（雙pad晶片無背金層）。晶片是由P層半導體元素，N層半導體元素靠電子移動而重新排列組合成的PN結合體。也正是這種變化使晶片能夠處于一個相對穩(wěn)定的狀態(tài)。在晶片被一定的電壓施加正向電極時，正向P區(qū)的空穴則會源源不斷的游向N區(qū)，N區(qū)的電子則會相對于孔穴向P區(qū)運動。在電子，空穴相對移動的同時，電子空穴互相結對，激發(fā)出光子，產生光能。