? 效率比傳統(tǒng)線性可控硅調(diào)光高10%
? 兼容傳統(tǒng)可控硅調(diào)光線路使用
? 高功率因數(shù),PF>0.9
? 支持全貼片設(shè)計(jì)方案
? 過溫補(bǔ)償功能
? 輸出短路保護(hù)
? 輸出開路保護(hù)
? ESOP8封裝

DET to GND -0.3~500 1 V -- 2 CSA to GND -0.3~5 V - 3 CSB to GND -0.3~5 V -- 4 GATE to GND -0.3~7 V - VI to GND 7 -0.3~500 V - 8 DRA to GND -0.3~500 V -

芯片內(nèi)MOS ID大峰值電流 IDMAX 120 mA - 熱阻（結(jié)溫-環(huán)境） 75 OJA --- CW 大工作溫度范圍 -40~160 Tj --- ℃ 人體模型 ESD_ HBM ±2000 V - 機(jī)器模型 ESD_ MM ±200 V -

（續(xù)） 電氣參數(shù) （無特別說明外，Ta=25℃） 測試條件 符號(hào) 參數(shù) 小值 典型值 大值 單位 DET補(bǔ)償設(shè)定端 VDIMA 補(bǔ)償范圍 lout=lout normal 0.8 1.6 V 補(bǔ)償初始閥值 VDIML 0.8 llout=loutmax V VDIMH 補(bǔ)償關(guān)閉閥值 lout=0 1.6 V 補(bǔ)償調(diào)節(jié)率 PCR -13.3 mV/mA DIM下拉電阻 RDIM 320 KQ 驅(qū)動(dòng)部份 GATE源出電流 50 UA IGATE_SRC IGATE_SNK GATE下來電流 50 UA 過溫補(bǔ)償 L版 110 ℃ Torc 溫度補(bǔ)償閾值 M版 130 °℃ L版 -100 %/40℃ 溫度補(bǔ)償斜率 RFT M版 -100 %/20℃
率LED是節(jié)能產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)電源的效率要高。對于電源安裝在燈具內(nèi)的結(jié)構(gòu)，尤為重要。因?yàn)長ED的發(fā)光效率隨著LED溫度的升高而下降，所以LED的散熱非常重要。電源的，它的耗損功率小，在燈具內(nèi)發(fā)熱量就小，也就降低了燈具的溫升。對延緩LED的光衰有利。
驅(qū)動(dòng)方式現(xiàn)在通行的有兩種：其一是一個(gè)恒壓源供多個(gè)恒流源，每個(gè)恒流源單給每路LED供電。這種方式，組合靈活，一路LED故障，不影響其他LED的工作，但成本會(huì)略高一點(diǎn)。另一種是直接恒流供電，LED串聯(lián)或并聯(lián)運(yùn)行。它的優(yōu)點(diǎn)是成本低一點(diǎn)，但靈活性差，還要解決某個(gè)LED故障，不影響其他LED運(yùn)行的問題。這兩種形式，在一段時(shí)間內(nèi)并存。多路恒流輸出供電方式，在成本和性能方面會(huì)較好。也許是以后的主流方向。