應(yīng)用范圍：
一、玻璃：平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學(xué)玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導(dǎo)電玻璃、玻璃布及防射線特種玻璃等的主要原料。
二、陶瓷及耐火材料：瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
三、建筑：混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗(yàn)材料（即水泥標(biāo)準(zhǔn)砂）等
四、化工：硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅微粉
五、機(jī)械：鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）
六、電子：高純度金屬硅、通訊用光纖等
七、橡膠、塑料：填料（可提高耐磨性）
八、涂料：填料（可提高涂料的耐候性）。
九、冶金：硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑 。
十、航空、航天：其內(nèi)在分子鏈結(jié)構(gòu)、晶體形狀和晶格變化規(guī)律，使其具有的耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、高度絕緣、耐腐蝕、壓電效應(yīng)、諧振效應(yīng)以及其特的光學(xué)特性。
常用包裝為25KG和50KG.

優(yōu)良的自然石英,經(jīng)由過程怪異的低溫處置工藝加工而構(gòu)成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉(zhuǎn)為無序分列.其色白,純度較高、活動(dòng)機(jī)能好、并具備如下機(jī)能:
　　一、精良的光學(xué)性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補(bǔ)則會(huì)使顏料的色采變淺、失真.
　　二、反射率:方石英的詳細(xì)布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強(qiáng)防滑性,又可進(jìn)步油漆的反光性.
　　三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達(dá)95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
　　四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機(jī)能好.
　　五、不含有機(jī)物凈化,金屬含量極低:可加強(qiáng)涂料的抗紫內(nèi)線本領(lǐng),并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數(shù).
　　六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時(shí),產(chǎn)生必定水平的熱收縮,恰好抵償環(huán)氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時(shí)的緊縮,使?jié)沧Ⅲw不變形.
　　七、極低的熱收縮系數(shù)、抗積淀性好、抗腐化性好.
　　利用行業(yè):電子質(zhì)料、高功效環(huán)氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質(zhì)料、珠寶行業(yè)、特種陶瓷質(zhì)料、特種耐火質(zhì)料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質(zhì)料行業(yè),日用化工,粘合劑,塑料,PTC質(zhì)料、航空、航天、齒科質(zhì)料和硅橡膠等中填料,各種產(chǎn)業(yè)庇護(hù)涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用

不規(guī)則狀石英粉用顯微鏡來看其實(shí)呈現(xiàn)多角型，是將石英粉直接研磨的結(jié)果；球狀石英粉是將不規(guī)則狀石英粉置于接近融點(diǎn)的高溫，讓原來存在不平整的邊邊角角融化，然后再降溫冷卻，就可以得到球狀石英粉。

優(yōu)點(diǎn)：
1、顯著提高抗壓、抗折、抗?jié)B、防腐、抗沖擊及耐磨性能，顯著延長(zhǎng)砼的使用壽命，特別是在氯鹽污染侵蝕、硫酸鹽侵蝕、高濕度等惡劣環(huán)境下，可使砼的耐久性提高一倍甚至數(shù)倍?！　?br /> 2、具有保水、防止離析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。具有約5倍水泥的功效，在普通砼和低水泥澆注料中應(yīng)用可降低成本。提高耐久性?！?br /> 3、提高澆注型耐火材料的致密性，在與Al2O3并存時(shí)，更易生成莫來石相，使其高溫強(qiáng)度，抗熱振性增強(qiáng)。　　
從而被廣泛應(yīng)用于光學(xué)玻璃、電子封裝、電氣絕緣、陶瓷、油漆涂料、精密鑄造、硅橡膠、醫(yī)藥、化裝品、電子元器件以及超大規(guī)模集成電路、移動(dòng)通訊、手提電腦、航空航天等生產(chǎn)領(lǐng)域。

硅微粉是由天然石英（SiO2）或熔融石英（天然石英經(jīng)高溫熔融、冷卻后的非晶態(tài)SiO2）經(jīng)破碎、球磨（或振動(dòng)、氣流磨）、浮選、酸洗提純、高純水處理等多道工藝加工而成的微粉。

微硅粉的生產(chǎn)方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進(jìn)行氯化反應(yīng)，反應(yīng)氣體經(jīng)旋風(fēng)分離除去雜質(zhì)，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經(jīng)粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經(jīng)精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達(dá)到7個(gè)“9”以上、雜質(zhì)含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內(nèi)，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進(jìn)行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進(jìn)行重結(jié)晶，用酸除去雜質(zhì)，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導(dǎo)體用硅，還要將其轉(zhuǎn)化成易于提純的液體或氣體形式，再經(jīng)蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進(jìn)行進(jìn)一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進(jìn)行還原。