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1000.00元回收場效應管,MOS管，電源IC 20％ 服務大眾、信守承諾、估價、方便快捷、嚴格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..09月03日 -
深圳市三佛科技有限公司供應20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..09月03日
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深圳市三佛科技有限公司供應60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..09月03日
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深圳市三佛科技有限公司供應80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..09月03日
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晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質(zhì)量、性能測試、功..09月03日
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2.00元MT30046S是n溝道功率MOSFET特性?類型Ros(.n)=10V,ID=30A?。極低Ros(on)和高p(p)的導電溝槽技術(shù)。MT30046S n溝道功率MOSFET特性?類型Ros (. n)=10V,ID =20A?。極低Ros(on)和高p (p)的導電溝槽..09月03日
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7000.00元中國耗盡型結(jié)型場效應管市場投資策略及前景趨勢預測報告2024-2030年 ★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2024年6月【出版機構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細可參中智信投研究網(wǎng)..09月03日
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7000.00元中國N型金氧半場效應管市場發(fā)展趨勢及前景深度研究報告2024-2030年★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2024年6月【出版機構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細可參中智信投研究網(wǎng)出..09月03日
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0.10元PMOS 場效應管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..09月03日
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場效應管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應場效應管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應可提供樣品測試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..09月03日
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2.00元MT3287-N溝道場效應管，作為一種增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導體制造工藝，確保了在高溫..07月29日
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2.00元MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應用設(shè)計的N溝道場效應晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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2.00元**低導通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應能力，MT3287/B在高頻應用中..07月29日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電源及高速信號切換等應用的理想選..07月29日
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面議MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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31.00元場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————06月19日
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Green Device Available Super Low Gate Charge?Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology? TheAP2N10 is the high cell density trenched..02月27日
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2SK3568 產(chǎn)品種類: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220FP-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極..12月11日
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