強(qiáng)茂肖特基二極管信息我要推廣到這里
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【小信號(hào)肖特基二極管】基本說(shuō)明 一、封裝與機(jī)械性 封裝形式:采用 SOD-323 封裝,尺寸約為 2.8mm×1.5mm,這種小型化封裝適合空間受限的電路設(shè)計(jì),能夠滿足高密度 PCB 布局的需求,廣泛應(yīng)用..06月05日
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深圳玖譽(yù)銘電子科技有限公司 專(zhuān)注強(qiáng)茂二三極管PANJIT (深圳強(qiáng)茂) QQ 858531278 TEL 13528432879 PANJIT(強(qiáng)茂集團(tuán)) (1) 保護(hù)器件:TVS、ESD/ARRAY系列 (2) MOSFET (3) (Sm..12月22日
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一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PB4413-DFA低電容ESD保護(hù)具有低泄漏電流和低鉗位電壓,采用DFN250A-10L封裝,電容為0.38pF。非常適用于計(jì)算、消費(fèi)電子和通信設(shè)備的TV、以太網(wǎng)1G、2.5G監(jiān)視器和主板。該產(chǎn)品符合..06月09日
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深圳東之洋實(shí)業(yè)有限公司 mbr20100fct強(qiáng)茂一級(jí)代理商TO-220f 臺(tái)灣強(qiáng)茂PANJIT 朔封 QQ2355758311 聯(lián)系熱線0755-8301356711月07日
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封裝形式:采用 TO-252 封裝,這種封裝形式具有較好的散熱性能,能夠適應(yīng)一定功率的工作環(huán)境,同時(shí)也便于在電路板上進(jìn)行焊接安裝。 主要電氣參數(shù):反向耐壓值為 100V,可在不超過(guò)此電壓的電..06月05日
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1.基本說(shuō)明 強(qiáng)茂BAT41ES 100V表面貼裝肖特基二極管具有的開(kāi)關(guān)速度,額定電流為200mA在SOD-523表面貼裝封裝中,它非常適合自動(dòng)插入,并且特別設(shè)計(jì)用于AI設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用。此外,..06月05日
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一、基本說(shuō)明:PCDP08120GB 1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管,在定電流下具有競(jìng)爭(zhēng)力的VF 1.4V。它在高溫下具有的反向泄漏穩(wěn)定性,并且在TO-220AC封裝中具有高浪電流能力。它用于電動(dòng)汽車(chē)..06月06日
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有意向請(qǐng)聯(lián)系戴生 13360582755 一、核心產(chǎn)品特性 低正向壓降技術(shù) 采用溝槽工藝優(yōu)化的肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu),在額定電流下典型正向壓降僅 0.3V(@10A, 25°C)1,比傳統(tǒng)硅二極管降低約 50%,顯著減..05月13日
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一、產(chǎn)品特點(diǎn): RDS(ON) Max, VGS@10V: 60mΩ ,具有快速?gòu)?fù)原特性的二極管,擁有高速開(kāi)關(guān)和低RDS(ON) , 通過(guò)了雪崩測(cè)試 ,通過(guò)了Rg測(cè)試 ,符合RoHS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛產(chǎn)品,根據(jù)IEC 61249標(biāo)準(zhǔn)采用..06月06日
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一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PB5635-S26低電容ESD保護(hù)器采用緊湊型SOT-23 6L-1封裝具有低漏電流評(píng)級(jí),為1uA。它非常適用于顯示器/平板顯示器、視頻圖形卡和數(shù)字視覺(jué)接口(DVI),用于計(jì)算、消費(fèi)電子通信..06月09日
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福田華強(qiáng)茂業(yè)辦公室出租,可注冊(cè)辦公,全包價(jià)無(wú)雜費(fèi) ??? 福田華強(qiáng)茂業(yè)辦公室出租,可注冊(cè)辦公,全包價(jià)無(wú)雜費(fèi) 1、面積有:1到30人大小的獨(dú)立辦公室,各種類(lèi)型可選 2、辦公室配套05月15日
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華強(qiáng)茂業(yè)附近全新精裝辦公室出,地鐵商圈,業(yè)主直租 ??? ????1、辦公面積靈活性。(可根據(jù)公司擴(kuò)展,隨時(shí)更換辦公空間) 2、辦公環(huán)境精裝修。(免費(fèi)帶辦公桌椅,落地玻璃,04月19日
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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PD功率:250mW VRM電壓 :40V IO電流:1A VF大正向電壓 :0.9v Test Condition IF(A)電流 :3A IR大峰值反向電流 :1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..09月08日
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SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..09月15日
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SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..09月15日
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肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大..09月15日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載..09月15日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面: 1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月15日
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肖特基二極管作為一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件,在PCB電路設(shè)計(jì)與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景,我們可以更好地利用這一器件,提高電路性能..09月15日
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