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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡介 PD功率:250mW VRM電壓 :40V IO電流:1A VF大正向電壓 :0.9v Test Condition IF(A)電流 :3A IR大峰值反向電流 :1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..08月18日
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編輯人:LL MBR20200FCT肖特基二極管,ASEMI品牌MBR20200FCT 型號:MBR20200FCT ? ? ? ? 品牌:ASEMI 封裝:TO-220 特性:肖特基二極管 ?★電性參數(shù):20A,200V ?★芯片材質(zhì):SI ?★正向..09月26日
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編輯人:LL SBT10100VCT 低壓降肖特基二極管 ASEMI品牌SBT10100VCT low vf 型號:SBT10100VCT 品牌:ASEMI 封裝:ITO-220AB 特性:肖特基二極管 ?★電性參數(shù):10A100V ?★芯片材質(zhì):SI ..09月19日
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編輯人:LL SBT10100UFCT 低壓降肖特基二極管 ASEMI品牌SBT10100UFCT low vf 型號:SBT10100UFCT 品牌:ASEMI 封裝:ITO-220AB 特性:肖特基二極管 ?★電性參數(shù):10A100V ?★芯片材質(zhì):S..09月19日
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編輯人:LL SBT1045VFCT 低壓降肖特基二極管 ASEMI品牌SBT1045VFCT low vf 型號:SBT1045VFCT 品牌:ASEMI 封裝:ITO-220AB 特性:肖特基二極管 ?★電性參數(shù):10A45V ?★芯片材質(zhì):SI ?..09月19日
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編輯人:LL BD10200CS 肖特基二極管 臺灣原裝BD10200CS 型號:BD10200CS ? ? ? 品牌:ASEMI 封裝:TO-252 特性:肖特基二極管 ?★電性參數(shù):10A 200V ?★芯片材質(zhì):si ?★正向電流(Io):..09月15日
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編輯人:LL SB10150LCT 低壓降肖特基 ASEMI品牌 型號:SB10150LCT 品牌:ASEMI 封裝:TO-220AB 特性:超低VF值 ★電性參數(shù):10A 150V★芯片材質(zhì):si★正向電流(Io):10A★芯..09月14日
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編輯人:MM asemi 強元芯12年專業(yè)生產(chǎn)SB2045LCT,擁有170人研發(fā)團隊和8500㎡肖特基生產(chǎn)廠, SB2045LCT 等肖特基均采用俄羅斯Mikron芯片,28條臺灣健鼎測試線,確保 ..09月03日
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MBR20200CT 肖特基二極管, ASEMI 品牌進口 MBR20200CT 型號: MBR20200CT 品牌: ASEMI 封裝: TO-220 特性:肖特基二極管 ★電性參數(shù): 20A , 200V ★..02月27日
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<p><span style="font-size:21px">MBR2045CT</span><span style="font-size:21px;font-family:宋體">肖特基二極管,</span><span style=02月23日
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中國肖特基二極管市場占有率格局與發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研報告?2020~2025年 ------------------------------------- 節(jié)假日24小時咨詢熱線:139 2163 9537(兼并微信)(隨時來電有折扣) 【報告編號..09月03日
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肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大..09月03日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載..09月03日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
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肖特基二極管作為一種獨特的半導(dǎo)體器件,在PCB電路設(shè)計與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢和應(yīng)用場景,我們可以更好地利用這一器件,提高電路性能..09月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月03日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月03日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月03日
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