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所述氣流導向裝置20的中軸孔2-1與該爐的石墨中軸21活 動密封連接,以防止因該中軸孔2-1與石墨中軸21之間的間隙而漏氣,影 響排氣效果,氣流導向裝置20的電極孔2-2分別與該爐的電極柱15密封連 接,以防止因該電極孔2-2與電極柱15之間的間隙而漏氣,影響排氣效果。所述氣流導向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的保溫 筒17密封連接,以防止因氣流導向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的 保溫筒17之間的間隙而漏氣,影響排氣效果。所述氣流導向裝置20各通氣孔2-3與該爐的排氣口 13通過通 氣管19相連通,以提高排氣效果。所述氣流導向裝置20由石墨制成,石墨具有強度高、抗熱震性好、耐 高溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機加工等優(yōu)點。藍寶石長晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長晶爐回收,多晶長晶爐回收,臥式長晶爐回收,拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,因此在投資單晶生長企業(yè)的前期,一定要根據(jù)生長設備,配置出合理的熱場,從而保生產出來的單晶的品質。在晶體生長分析與設計中,實驗與數(shù)值仿真是相輔相成的,其過程可以分為兩個部分:(1)在階段,利用引上法晶體生長實驗來進行數(shù)值模擬參數(shù)的調整(2)在第二階段,利用數(shù)值模擬是用來確定的晶體生長工藝參數(shù)。
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