供應(yīng)商 | 蘇州碩世微電子有限公司 店鋪 |
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報(bào)價(jià) | 面議 |
關(guān)鍵詞 | 出售晶圓挑片器,晶圓挑片器硅片升降機(jī),煙臺(tái)晶圓挑片器,晶圓挑片器硅片挑片器 |
所在地 | 江蘇蘇州園區(qū)東富路32號(hào) |
13年
通過(guò)設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測(cè)機(jī)構(gòu)和推料機(jī)構(gòu),使得在晶圓片傳送時(shí)能夠通過(guò)卡匣定位結(jié)構(gòu)對(duì)卡匣進(jìn)行定位,然后再通過(guò)檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)卡匣內(nèi)晶圓片的位置,避免晶圓片錯(cuò)位,后通過(guò)推料機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)卡匣的傳送,整個(gè)傳送過(guò)程簡(jiǎn)單、易操作,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化傳片,且能夠?qū)A片進(jìn)行檢測(cè)避免晶圓片錯(cuò)位造成傳片損壞。
晶圓切割時(shí),經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度,要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí),應(yīng)選擇盡可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20um)是非常脆弱的,更容易過(guò)早破裂和磨損。結(jié)果,其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。
刀痕,自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置,防止崩邊過(guò)大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置,能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer,含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能,配有高低倍兩種鏡頭,可用于切割道寬度測(cè)量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等??勺詣?dòng)檢測(cè)切割刀痕,自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置,防止崩邊過(guò)大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。
在切片或任何其它磨削過(guò)程中,在不超出可接受的切削質(zhì)量參數(shù)時(shí),新一代的切片系統(tǒng)可以自動(dòng)監(jiān)測(cè)施加在刀片上的負(fù)載,或扭矩。對(duì)于每一套工藝參數(shù),都有一個(gè)切片質(zhì)量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系,和其變量的測(cè)量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實(shí)時(shí)調(diào)整,使得不超過(guò)招矩極限和獲得大的進(jìn)給速度。
切片工序的關(guān)鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測(cè)的切片系統(tǒng)中,修整工序是通過(guò)一套反復(fù)試驗(yàn)來(lái)建立的。在刀片負(fù)載受監(jiān)測(cè)的系統(tǒng)中,修整的終點(diǎn)是通過(guò)測(cè)量的力量數(shù)據(jù)來(lái)發(fā)現(xiàn)的,它建立佳的修整程序。這個(gè)方法有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):不需要來(lái)佳的刀片性能,和沒(méi)有合格率損失,該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質(zhì)量差。
以穩(wěn)定的扭矩運(yùn)轉(zhuǎn)的系統(tǒng)要求進(jìn)給率、心軸速度和冷卻劑流量的穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加阻力,它造成扭力。新一代的切片系統(tǒng)通過(guò)控制冷卻劑流量來(lái)保持穩(wěn)定的流速和阻力,從而保持冷卻劑扭矩影響穩(wěn)定。當(dāng)切片機(jī)有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時(shí),維持一個(gè)穩(wěn)定的扭矩。如果記錄,從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調(diào)整的變化、刀片對(duì)刀片的變化、刀片情況和操作員錯(cuò)誤。
切片工藝變得越來(lái)越且要求高。切割跡道變得越窄,可能充滿測(cè)試用衰耗器(test pad),并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
藍(lán)膜由于受其溫度影響乃粘性度會(huì)發(fā)生變化,而且本身粘性度較高,因此,一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進(jìn)行后封裝工藝,而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時(shí),可以考慮使用藍(lán)膜。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大,同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本小??墒?,挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率,反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加,切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度,要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。
所屬分類:電子產(chǎn)品制造設(shè)備/半導(dǎo)體設(shè)備
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