隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：Random Access Memory，縮寫(xiě)：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)（刷新時(shí)除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)的地址寫(xiě)入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）既可向單元存入信息又可從單元讀出信息。任何RAM中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失，所以RAM是易失性存儲(chǔ)器。

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴(lài)電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進(jìn)制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

按照IEEE802.11協(xié)議，無(wú)線局域網(wǎng)卡分為媒體訪問(wèn)控制（MAC）層和物理層（PHY Layer）。在兩者之間，還定義了一個(gè)媒體訪問(wèn)控制-物理（MAC-PHY）子層（Sublayers）。MAC層提供主機(jī)與物理層之間的接口，并管理外部存儲(chǔ)器，它與無(wú)線網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對(duì)應(yīng)。

既然內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，那么它是怎么工作的？我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的“動(dòng)態(tài)”，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫(xiě)入DRAM后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要額外設(shè)一個(gè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。

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