當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品
制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實用價值,已引起人們的密切關(guān)注。
Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。
鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。
冶煉方法:鉭鈮礦中常伴有多種金屬,鉭冶煉的主要步驟是分解精礦,凈化和分離鉭、鈮,以制取鉭、鈮的純化合物,后制取金屬。
鉭雖然在19世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)了,但直到1903年才制出了金屬鉭,1922年開始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此,世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀(jì)20年代,中國鉭工業(yè)始于1956年
中國鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代,特別是1995年以來,中國鉭生產(chǎn)應(yīng)用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢,如今,中國鉭工業(yè)已實現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉(zhuǎn)變,形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應(yīng)用的工業(yè)體系,高、中、低端產(chǎn)品的進(jìn)入了國際市場,中國成為世界鉭冶煉加工第三強(qiáng)國,進(jìn)入世界鉭工業(yè)大國的行列
鉭是稀有金屬礦產(chǎn)資源之一,是電子工業(yè)和空間技術(shù)發(fā)展不可缺少的戰(zhàn)略原料
鉭鈮礦中常伴有多種金屬,廢鉭冶煉的主要步驟是分解精礦,凈化和分離鉭、鈮,以制取鉭、鈮的純化合物,后制取金屬。礦石分解可采用分解法、熔融法和氯化法等。鉭鈮分離可采用溶劑萃取法〔常用的萃取劑為甲基異丁基銅(MIBK)、三丁酯 (TBP)、仲辛醇和乙酰胺等〕、分步結(jié)晶法和離子交換法。
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