新能源車的高速發(fā)展，帶動不斷增大的激光器和驅(qū)動芯片功率，對散熱提出了更高的挑戰(zhàn)。半燒結(jié)銀AS9330是連接半導體晶體管和元器件的關(guān)鍵材料，起到導電和導熱的作用，影響元器件電路導通、功能實現(xiàn)及穩(wěn)定性。
而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫燒結(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫燒結(jié)技術(shù)大大提升了導熱及導電性能，可滿足對于第三代半導體高功率器件的電子互聯(lián)應用。
半燒結(jié)銀AS9330是為芯片粘接提供了一種無鉛(LEAD FREE)的替代方案，適用于高功率密度半導體封裝, 符合RoHS要求。
半燒結(jié)銀AS9330可以粘結(jié)金、銀、銅、鎳鈀金、引線框架等多種材質(zhì)，適用∩寬泛的芯片粘結(jié)尺寸：從1*1mm2至8*8mm2（Die Size）不等。當然，燒結(jié)溫度隨著芯片尺寸的大小要做適當?shù)恼{(diào)整。
半燒結(jié)銀AS9330和普通銀材料相比有更全面的導熱和可操作性能 ，AS9330使用制程簡便，與普通導電銀膠工藝相似。
半燒結(jié)銀AS9330粘結(jié)尺寸過大時，建議一個界面開導氣槽； 一個界面涂布燒結(jié)銀AS9330時，涂布的要均勻
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