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中山西區(qū)真空鍍膜機(jī)回收上門看貨

更新時間1:2025-10-07 信息編號:efr2qt3e4628f 舉報維權(quán)
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供應(yīng)商 深圳市光明區(qū)鑫誠物資回收經(jīng)營部 店鋪
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所在地 廣東深圳光明新區(qū)公明
劉生
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11年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

電鍍設(shè)備回收電鍍生產(chǎn)線回收

3. 開維持泵、真空計電源,真空計檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。
4. 開機(jī)械泵、予抽,開渦輪分子泵電源、啟動,真空計開關(guān)換到V2位置,抽到小于2為止,約需20分鐘。
5. 觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后,關(guān)予抽,開前機(jī)和
高閥繼續(xù)抽真空,抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭,觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。 1. 總電源。
2. 同時開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源:按電子槍控制Ⅰ電源、延時開關(guān),延時、電源及保護(hù)燈亮,三分鐘后延時及保護(hù)燈滅,若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障,保護(hù)燈會常亮。
3. 開高壓,高壓會達(dá)到10KV以上,調(diào)節(jié)束流可到200mA左右,簾柵為20V/100mA,燈絲電流1.2A,偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動。 1. 關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。
2. 待分子泵顯示到50時,依次關(guān)高閥、前級、機(jī)械泵,這期間約需40分鐘。

離子滲氮:可以在輝光放電條件下,將N、C等元素滲入到零件和模具內(nèi)部、明顯提高表面硬度、抗疲勞等性能和耐腐蝕性,相對于總體滲氮處理時間短、濕度低、變形小、表面性能可控,可用于各種鋼鐵及鈦合金結(jié)構(gòu)件,各種模具和各種不銹鋼制品。
等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備與技術(shù)(離子滲氮,氮碳共滲)
等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)是一種新型的脈沖直流等離子體輔助沉積硬質(zhì)鍍膜新技術(shù)。在一定壓力、溫度的真空爐內(nèi),加入適當(dāng)比例的不同工作氣體,在脈沖電壓的作用下,通過輝光放電產(chǎn)生均勻等離子體。在不同工藝條件下,可在被處理工件表面形成各種硬質(zhì)膜如TiN、TiC、TiCN、(Ti、Si)N、(Ti、Si)CN及多層復(fù)合膜等,顯微硬度高達(dá)HV2000--2500。

發(fā)黑通常是由于過早氧化造成的。泛黃一般是因為鋁源中含有雜質(zhì)過多,一般純度應(yīng)在4 N或5N以上。無論是涂布機(jī)的真空度不達(dá)標(biāo),都要達(dá)到10—7倍Pa。(不準(zhǔn)確)。涂敷物品的清洗不,表面殘留有清潔劑和水。被涂物品表面溫度不合理,溫度過高或過低。涂層項目的潛在設(shè)置不合理。真空擴(kuò)散泵油應(yīng)更換。調(diào)節(jié)蒸發(fā)源的溫度,不能太低或太高。如果電子束蒸發(fā),電子束的轟擊位置也應(yīng)該調(diào)整。

真空鍍膜加工中冷卻設(shè)備需要提供智能、穩(wěn)定的冷凍水,來確保真空鍍膜工藝中電鍍液的溫度恒定,所以會選擇使用水冷式冷水機(jī)來作為真空鍍膜加工冷卻設(shè)備。

一 真空鍍膜加工中冷卻設(shè)備冷水機(jī)的作用

真空鍍膜加工過程中,真空鍍膜機(jī)作為主要設(shè)備,工作過程中有高頻電流過程,電導(dǎo)會在反復(fù)過程中產(chǎn)生大量熱能并且集聚在一起,需要冷卻設(shè)備及時地進(jìn)行冷卻,避免設(shè)備部件損壞,影響使用壽命;另外,真空鍍膜電鍍液需要根據(jù)電鍍產(chǎn)品不同進(jìn)行溫度調(diào)節(jié),并保持相對恒溫,反復(fù)鍍膜會造成鍍液溫度升高,同樣需要冷卻設(shè)備來準(zhǔn)確地控制和穩(wěn)定電鍍液的溫度。在工業(yè)生產(chǎn)控溫中,根據(jù)真空鍍膜加工的實際需求,選用相應(yīng)規(guī)格的冷水機(jī)設(shè)備來進(jìn)行、穩(wěn)定的溫度控制調(diào)節(jié)是經(jīng)濟(jì)有效的解決方案。

需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面,通過成膜過程(散點-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。 對于濺射類鍍膜,可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來,并且終沉積在基片表面,經(jīng)歷成膜過程,終形成薄膜。

直接的鍍膜控制方法是石英晶體微量平衡法(QCM),這種儀器可以直接驅(qū)動蒸發(fā)源,通過PID控制循環(huán)驅(qū)動擋板,保持蒸發(fā)速率。只要將儀器與系統(tǒng)控制軟件相連接,它就可以控制整個的鍍膜過程。但是(QCM)的度是有限的,部分原因是由于它監(jiān)控的是被鍍膜的質(zhì)量而不是其光學(xué)厚度。
? ? 此外雖然QCM在較低溫度下非常穩(wěn)定,但溫度較高時,它會變得對溫度非常敏感。在長時間的加熱過程中,很難阻止傳感器跌入這個敏感區(qū)域,從而對膜層造成重大誤差。
? ? 光學(xué)監(jiān)控是高精密鍍膜的的監(jiān)控方式,這是因為它可以更地控制膜層厚度(如果運(yùn)用得當(dāng))。度的改進(jìn)源于很多因素,但根本的原因是對光學(xué)厚度的監(jiān)控。
? ? OPTIMAL SWA-I-05單波長光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng),是采用間接測控,結(jié)合汪博士開發(fā)的光學(xué)監(jiān)控軟件,有效提高光學(xué)反應(yīng)對膜厚度變化靈敏度的理論和方法來減少誤差,提供了反饋或傳輸?shù)倪x擇模式和大范圍的監(jiān)測波長。特別適合于各種膜厚的鍍膜監(jiān)控包括非規(guī)整膜監(jiān)控。

所屬分類:設(shè)備回收/工廠設(shè)備回收

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