<P>致密氮化硅陶瓷-概述<BR>本公司引進(jìn)高科技氮化硅陶瓷制造技術(shù)的基礎(chǔ)上按照國家標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的致密氮化硅陶瓷-,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)（得到理想的致密氮化硅陶瓷-坯體密度），經(jīng)1600℃以上高溫?zé)Y(jié)獲得高密度、高強(qiáng)度氮化硅陶瓷制品。可廣泛應(yīng)用于機(jī)械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件，取得了很好的預(yù)期效果。近年來，隨著制造工藝和測試分析技術(shù)的發(fā)展,致密氮化硅陶瓷-等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應(yīng)用面在不斷擴(kuò)大。</P>
<P><IMG src=""><BR>致密氮化硅陶瓷-特點(diǎn)<BR>1、工藝優(yōu)良:致密氮化硅陶瓷-采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)具有高強(qiáng)度，硬度，致密度。固體無模成型工藝
1、選區(qū)激光燒結(jié)法
選區(qū)激光燒結(jié)法以堆積在工作平臺(tái)上的陶瓷粉體為原料，用高能CO2激光器從陶瓷粉體上掃描，將選定區(qū)內(nèi)的陶瓷粉體燒結(jié)以做出部件的每一個(gè)層得到終成型件。
目前，研究者用該方法研究了SiO2、氮化硅、Al2O3、PZT壓電陶瓷件等陶瓷材料成型。<BR>2、性能穩(wěn)定:致密氮化硅陶瓷-具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。氮化硅燒結(jié)推動(dòng)力
燒結(jié)體之所以能夠形成 ,是因?yàn)楸砻娣e很高的粉末具有較高的表面能,同時(shí)由于粉末形成—— 粉 (磨 )碎時(shí)使顆粒的表面及內(nèi)部產(chǎn)生缺陷 ,故系統(tǒng)的能量是很高的。依熱力學(xué)可知 ,所有體系均有使系統(tǒng)本身能量降低的趨勢 ,即自發(fā)向降低表面能的方向進(jìn)行,故燒結(jié)推動(dòng)力即是體系能量 (主要是表面能 )的降低。燒結(jié)后能量降低是由于晶界能取代了表面能,很明顯 ,粉末表面能與晶界能相差越大 ,越容易燒結(jié)。對 氮 化 硅 而 言 , 其 本 身 清 潔 時(shí) 表 面 能 可 達(dá)0. 0018KJ/m2 ,但是氮化硅細(xì)粉在空氣中極易被氧污染 ,結(jié)果使表面能大為降低。另外 ,因氮化硅為共價(jià)鍵為主的材料,原子之間有強(qiáng)烈的方向性而使燒結(jié)的晶界能增高 ,致使氮化硅燒結(jié)推動(dòng)力下降。<BR>3、應(yīng)用廣泛：致密氮化硅陶瓷-可廣泛應(yīng)用于機(jī)械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件。高純氮化硅粉體生產(chǎn)簡單流程
原料：高純硅粉，高純氮?dú)?純度>99.99%)，去離子水 設(shè)備：高溫常壓臥式氣氛爐，立式球磨機(jī)，普通混料機(jī)，普通鄂式破碎機(jī)，干燥設(shè)備。
終產(chǎn)品：高純氮化硅粉
生產(chǎn)簡單流程：
（1） 高純氮化硅粉裝入臥式氣氛爐，通入氮?dú)猓s數(shù)小時(shí)，開始升溫，升到一千多度開始保溫，保溫?cái)?shù)小時(shí)之后，關(guān)閉閥門，關(guān)閉氮?dú)狻＠^續(xù)保溫?cái)?shù)小時(shí)，出爐。上述過程保持常壓。
（2） 保溫結(jié)束，降溫至室溫，打開爐蓋，取出氮化硅塊，用普通鄂式破碎機(jī)破碎至20－60目。
（3） 將20－60目氮化硅粉，加入球磨機(jī)，再加入等質(zhì)量的水，球磨數(shù)小時(shí)，分離得到更細(xì)的氮化硅粉，放入干燥設(shè)備烘干，包裝。 上述生產(chǎn)過程，原料均為環(huán)境友好材料，產(chǎn)品也為普通陶瓷產(chǎn)品為無害產(chǎn)品。向環(huán)境中排放主要為少量多余高純氮?dú)?，由于氮?dú)馐谴髿庵饕M成部分，對環(huán)境。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的致密氮化硅陶瓷-產(chǎn)品優(yōu)勢<BR>質(zhì)量穩(wěn)定：實(shí)行全過程質(zhì)量監(jiān)控，細(xì)致入微，檢測！<BR>價(jià)格合理：內(nèi)部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產(chǎn)流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>致密氮化硅陶瓷-實(shí)拍圖<BR>致密氮化硅陶瓷-選型手冊<BR>面對市場上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會(huì)感到忙繞。目前市面上的陶瓷產(chǎn)品選型手冊和選型標(biāo)準(zhǔn)一般是按照材料的性能和應(yīng)用來分類。<BR>致密氮化硅陶瓷-氮化硅（氮化硅）是重要的陶瓷結(jié)構(gòu)材料，具有密度和熱膨脹系數(shù)小、硬度大、彈性模量高以及熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和電絕緣性好等特點(diǎn)，此外，它還耐腐蝕、抗氧化，具有表面摩擦系數(shù)小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于冶金，化工，機(jī)械，航空，航天及能源等領(lǐng)域。
一、氮化硅微粉的制備方法
1、硅粉直接氮化法
該方法采用化學(xué)純的硅粉（分析純：95%以上）在NH3，N2+H2或N2氣氛中直接與氮反應(yīng)實(shí)現(xiàn)，其反應(yīng)方程式如下：
硅粉直接氮化合成氮化硅微細(xì)粉的優(yōu)點(diǎn)是工藝流程簡單，成本低。缺點(diǎn)是該方法反應(yīng)慢。需較高的反應(yīng)溫度和較長的反應(yīng)時(shí)間，制備的氮化硅粒徑分布較寬，需要進(jìn)一步經(jīng)過粉碎、磨細(xì)和純化才能達(dá)到質(zhì)量要求。
2、SiO2還原氮化法
將SiO2的細(xì)粉與碳粉混合后，通過熱還原生成SiO，然后SiO再被氮化生成塊狀的氮化硅?？偟幕瘜W(xué)反應(yīng)式為：
SiO2還原氮化法的特點(diǎn)是原料來源豐富，反應(yīng)產(chǎn)物是疏松粉末，與硅粉氮化產(chǎn)物不需要進(jìn)行粉碎處理，從而避免了雜質(zhì)的重新引入，所以用該法制得氮化硅粉末粒型規(guī)整，粒度分布窄。
3、液相法
液相法的化學(xué)反應(yīng)式如下：
該方法關(guān)鍵在于制備純的硅亞胺。SiCl4和NH3為放熱放映，常溫下很容易反應(yīng)。所以工藝上要求控制反應(yīng)速度和除凈副產(chǎn)物。采用這種方法生產(chǎn)的氮化硅具有純度高、粒徑微細(xì)而且均勻，所以發(fā)展很快。日本UBE公司用此法早己在1992就建成了年產(chǎn)300t的生產(chǎn)線。這是當(dāng)時(shí)世界上大規(guī)模生產(chǎn)氮化硅粉末的生產(chǎn)線，它的生產(chǎn)能力相當(dāng)于1990年日本國內(nèi)氮化硅的總消耗量。
4、氣相法
SiCl4與NH3氣體可以直接在高溫下反應(yīng)生產(chǎn)氮化硅，副產(chǎn)物是NH4Cl,其在高溫下很快升華分解。化學(xué)反應(yīng)式為：
目前，氣相法主要包括激光誘導(dǎo)氣相沉積和等離子氣相合成。由于是氣相反應(yīng)，反應(yīng)時(shí)氣流易控制產(chǎn)物純度高、超細(xì)。
（1）激光誘導(dǎo)氣相沉積
激光誘導(dǎo)氣相沉積法利用反應(yīng)氣體分子對特定波長激光束的吸收而產(chǎn)生熱解或化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)過核生長形成微粉，整個(gè)過程基本上還是一個(gè)熱化學(xué)反應(yīng)和形核生長的過程。
該方法可以制備均勻超細(xì)、低顆粒尺寸小于10nm的粉體。同時(shí)，由于反應(yīng)中心區(qū)域與反應(yīng)器之間被原料氣隔離，污染小，能夠獲得穩(wěn)定質(zhì)量的粉體。該方法關(guān)鍵在于選用對激光束波長產(chǎn)生強(qiáng)吸收的反應(yīng)氣體作為反應(yīng)源。
（2）等離子氣相合成法
等離子氣相合成法是制備氮化硅粉體的主要手段之一。它具有高溫、急劇升溫和快速冷卻的特點(diǎn)，是制備超細(xì)陶瓷粉體的常用手段。該方法由于升溫迅速，反應(yīng)物在等離子焰內(nèi)滯留時(shí)間短，易于獲得均勻、尺寸小的氮化硅粉體。等離子體法顯著的特點(diǎn)，就是容易實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。<BR>致密氮化硅陶瓷-氮化硅陶瓷是一種燒結(jié)時(shí)不收縮的無機(jī)材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形狀，在氮?dú)庵屑埃保玻埃啊娴母邷叵逻M(jìn)行初步氮化，使其中一部分硅粉與氮反應(yīng)生成氮化硅，這時(shí)整個(gè)坯體已經(jīng)具有一定的強(qiáng)度。然后在１３５０℃～１４５０℃的高溫爐中進(jìn)行第二次氮化，反應(yīng)成氮化硅。用熱壓燒結(jié)法可制得達(dá)到理論密度９９％的氮化硅。氮化硅的強(qiáng)度很高，尤其是熱壓氮化硅，是世界上堅(jiān)硬的物質(zhì)之一。它極耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到１２００℃的高溫而不下降，受熱后不會(huì)熔成融體，一直到１９００℃才會(huì)分解，并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機(jī)酸和３０％以下的燒堿溶液，也能耐很多有機(jī)酸的腐蝕；同時(shí)又是一種電絕緣材料。氮化硅陶瓷可做燃?xì)廨啓C(jī)的燃燒室、機(jī)械密封環(huán)、輸送鋁液的電磁泵的管道及閥門、性模具、鋼水分離環(huán)等。氮化硅摩擦系數(shù)小的特點(diǎn)特別適合制作為高溫軸承使用，其工作溫度可達(dá)１２００℃，比普通合金軸承的工作溫度提高２.５倍，而工作速度是普通軸承的１０倍。利用氮化硅陶瓷很好的電絕緣性和耐急冷急熱性可以用來做電熱塞，用它進(jìn)行汽車點(diǎn)火可使發(fā)動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)間大大縮短，并能在寒冷天氣迅速啟動(dòng)汽車。氮化硅陶瓷還有良好的透微波性能、介電性以及高溫強(qiáng)度，作為導(dǎo)彈和飛機(jī)的雷達(dá)天線罩，可在６個(gè)馬赫甚至７個(gè)馬赫的飛行速度下使用。 </P>
<P>致密氮化硅陶瓷-訂購注意事項(xiàng)<BR>1、此產(chǎn)品不支持網(wǎng)上訂購，由于氮化硅陶瓷產(chǎn)品大多數(shù)屬于非標(biāo)定制件，如您需要訂購致密氮化硅陶瓷-產(chǎn)品請隨時(shí)致電聯(lián)系我們，我們一定會(huì)盡心盡力為您提供的服務(wù)。電話： <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購數(shù)量③需要告知應(yīng)用場合及對產(chǎn)品的技術(shù)要求④使用溫度⑤使用介質(zhì)⑥其他要注意的事項(xiàng)。<BR>3、如有特殊要求時(shí)請?jiān)谟嗁彯a(chǎn)品時(shí)注明。<BR>4、當(dāng)使用的場合非常重要或者環(huán)境比較復(fù)雜時(shí)，請盡量提供設(shè)計(jì)圖紙。</P>
<P>致密氮化硅陶瓷-使用注意事項(xiàng)<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過程中應(yīng)注意：<BR>氮化硅（氮化硅）是重要的陶瓷結(jié)構(gòu)材料，具有密度和熱膨脹系數(shù)小、硬度大、彈性模量高以及熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和電絕緣性好等特點(diǎn)，此外，它還耐腐蝕、抗氧化，具有表面摩擦系數(shù)小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于冶金，化工，機(jī)械，航空，航天及能源等領(lǐng)域。
一、氮化硅微粉的制備方法
1、硅粉直接氮化法
該方法采用化學(xué)純的硅粉（分析純：95%以上）在NH3，N2+H2或N2氣氛中直接與氮反應(yīng)實(shí)現(xiàn)，其反應(yīng)方程式如下：
硅粉直接氮化合成氮化硅微細(xì)粉的優(yōu)點(diǎn)是工藝流程簡單，成本低。缺點(diǎn)是該方法反應(yīng)慢。需較高的反應(yīng)溫度和較長的反應(yīng)時(shí)間，制備的氮化硅粒徑分布較寬，需要進(jìn)一步經(jīng)過粉碎、磨細(xì)和純化才能達(dá)到質(zhì)量要求。
2、SiO2還原氮化法
將SiO2的細(xì)粉與碳粉混合后，通過熱還原生成SiO，然后SiO再被氮化生成塊狀的氮化硅?？偟幕瘜W(xué)反應(yīng)式為：
SiO2還原氮化法的特點(diǎn)是原料來源豐富，反應(yīng)產(chǎn)物是疏松粉末，與硅粉氮化產(chǎn)物不需要進(jìn)行粉碎處理，從而避免了雜質(zhì)的重新引入，所以用該法制得氮化硅粉末粒型規(guī)整，粒度分布窄。
3、液相法
液相法的化學(xué)反應(yīng)式如下：
該方法關(guān)鍵在于制備純的硅亞胺。SiCl4和NH3為放熱放映，常溫下很容易反應(yīng)。所以工藝上要求控制反應(yīng)速度和除凈副產(chǎn)物。采用這種方法生產(chǎn)的氮化硅具有純度高、粒徑微細(xì)而且均勻，所以發(fā)展很快。日本UBE公司用此法早己在1992就建成了年產(chǎn)300t的生產(chǎn)線。這是當(dāng)時(shí)世界上大規(guī)模生產(chǎn)氮化硅粉末的生產(chǎn)線，它的生產(chǎn)能力相當(dāng)于1990年日本國內(nèi)氮化硅的總消耗量。
4、氣相法
SiCl4與NH3氣體可以直接在高溫下反應(yīng)生產(chǎn)氮化硅，副產(chǎn)物是NH4Cl,其在高溫下很快升華分解。化學(xué)反應(yīng)式為：
目前，氣相法主要包括激光誘導(dǎo)氣相沉積和等離子氣相合成。由于是氣相反應(yīng)，反應(yīng)時(shí)氣流易控制產(chǎn)物純度高、超細(xì)。
（1）激光誘導(dǎo)氣相沉積
激光誘導(dǎo)氣相沉積法利用反應(yīng)氣體分子對特定波長激光束的吸收而產(chǎn)生熱解或化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)過核生長形成微粉，整個(gè)過程基本上還是一個(gè)熱化學(xué)反應(yīng)和形核生長的過程。
該方法可以制備均勻超細(xì)、低顆粒尺寸小于10nm的粉體。同時(shí)，由于反應(yīng)中心區(qū)域與反應(yīng)器之間被原料氣隔離，污染小，能夠獲得穩(wěn)定質(zhì)量的粉體。該方法關(guān)鍵在于選用對激光束波長產(chǎn)生強(qiáng)吸收的反應(yīng)氣體作為反應(yīng)源。
（2）等離子氣相合成法
等離子氣相合成法是制備氮化硅粉體的主要手段之一。它具有高溫、急劇升溫和快速冷卻的特點(diǎn)，是制備超細(xì)陶瓷粉體的常用手段。該方法由于升溫迅速，反應(yīng)物在等離子焰內(nèi)滯留時(shí)間短，易于獲得均勻、尺寸小的氮化硅粉體。等離子體法顯著的特點(diǎn)，就是容易實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。 <BR></P>
